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TABLE 3E: FRED
Date Code
Number
#
Part Number
or
Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[K]
Cycles
Size
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
DH60-18A
DSEC30-02A
DSEI120-12A
DSEI60-02A
DSEI60-12A
DSEP12-12A
DSEP15-12CR
DSEP29-06A
DSEP2x61-06A
DSEP60-12A
1699
1755
1928
1440
1599
1955
1930
1736
1633
2021
125
125
145
145
150
145
125
150
125
145
80
80
100
105
105
100
80
105
80
100
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
5000
2000
20
20
20
20
20
20
20
20
10
20
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
40000
40000
40000
40000
40000
40000
40000
40000
50000
40000
TABLE 3F: Schottky Diode
Date Code
Number
#
Part Number
or
Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[K]
Cycles
Size
1
2
3
4
5
6
DSS16-0045A
DSS2x160-01A
DSS6-015AS
DSS6-015AS
DSSk60-0045A
DSSK80-006B
2018
1856
1723
1838
1873
1575
145
125
140
140
150
125
100
80
100
100
105
80
2000
4000
8572
8572
2000
2000
20
10
77
77
20
20
0
0
0
0
0
0
80000
40000
660044
660044
40000
40000
TABLE 3G: Thyristor/Diode single device
Date Code
Number
# Part Number or Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[K]
Cycles
Size
1 CS30-16io1 2009 125
2 CS35-14 2008 125
3 CS35-14io4 1473 125
4 CS45-12io1 1601 125
5 CS8-12io2 1605 125
6 DSA1-18D 1435 150
7 DSA15IM45IB 1621 125
8 DSA75-16B 1859 150
9 DSI45-08A 1760 150
80
80
80
80
80
105
80
105
105
2000
2000
2000
5000
2000
2000
4000
2000
2000
20
10
10
20
10
20
20
10
20
0
0
0
0
0
0
0
0
0
40000
20000
20000
100000
20000
40000
80000
20000
40000
TABLE 3H: ISOPLUS
Date Code
Number
#
Part Number
or
Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[K]
Cycles
Size
1
2
DSEP15-12CR
GWM160-0055X1
1930
1960
125
150
80
100
2000
3000
20
80
0
0
40000
240000
IXYS Semiconductor GmbH
15
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IXTQ40N50Q
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IXTQ470P2
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IXTQ480P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L
功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2
功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2
功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T
功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P
功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P
功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube